Il sito coreano ETNews ha riportato che l’azienda coreana Samsung Electronics si sta preparando per la produzione di memorie flash NAND super veloci UFS 2.0 che saranno montate sul suo top di gamma del 2015, il Samsung Galaxy S6.
Le memorie UFS 2.0 garantiranno una velocità di trasferimento dati pari a 1,2 gigabyte al secondo, una velocità molto superiore a quella delle attuali memorie eMMC, che è già ottima ed è pari a 400 MB/s. UFS è l’acronimo di Universal Flash Storage e tale tecnologia combina un disco a stato solido con una scheda MMC power-efficient, fornendo un tipo di bandwidth necessaria per assicurare un enorme streaming di dati enorme (come i video a risoluzione UHD) sulle connessioni LTE-A e non solo. Secondo quanto riferito, il consumo di energia delle memorie UFS sarà la metà di quello delle eMMC 5.0. Un’altra società che adotterà molto probabilmente questo tipo di memoria sul suo prossimo dispositivo di punta è Xiaomi.
Inoltre alcune fonti dicono che Samsung sostituirà progressivamente le schede SD e microSD con nuove schede basate sulla tecnologia UFS. Essendo attualmente leader nella produzione di memorie NAND flash, l’azienda coreana potrà portare senza molte difficoltà i consumatori ad usare queste nuove memorie ed a conquistare buona parte del mercato UFS. Su richiesta, un rappresentante della Samsung Electronics ha detto ad ETNews che la società utilizzerà le memorie UFS in primis sui suoi smartphone di punta ed ha parlato di un “nuovo smartphone in uscita il prossimo anno”, le cui specifiche “non sono state finalizzate”. Questo significa che il Samsung Galaxy S6, o qualsiasi altro smartphone di Samsung che verrà lanciato nel corso del primo semestre 2015, è in fase di test profondo.
Per chi è curioso, ecco un video di Toshiba nel quale spiega le differenze tra UFS e eMMC. Toshiba, insieme a Hynix e Micron, è tra gli altri produttori che puntano su questa nuova tecnologia.
Stando ai rumors giunti finora, il Samsung Galaxy S6 sarà un dispositivo molto interessante.
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