Secondo le numerose fuga di notizie e rumors emersi finora, questo tecnologia produttiva a 14-nm FinFET per i SoC debutterà sul Galaxy S6 / S6 Edge Samsung, e la stessa tecnologia dei semiconduttori dovrebbe essere utilizzata anche per la creazione del prossimo chip A9 di Apple.
Ma nonostante il fatto che il processo di produzione a 14 nm sia una tecnologia da poco disponibile e non sia affatto diffusa, la Samsung non si è adagiata sugli allori, e continua ad innovare investendo sullo sviluppo dei chip infatti all’inizio di questa settimana il colosso tecnologico coreano ha presentato la prima tecnologia FinFET di semiconduttori a 10 nm al mondo.
L’International Solid State Circuits Conference (ISSCC) avviene tra 22-26 febbraio a San Francisco, e quest’anno durante l’evento citato Samsung ci ha colto di sorpresa dopo che ha presentato la prima tecnologia FinFET semiconduttori 10 nm del mondo.
Kim Ki-nam, presidente di Samsung Electronics ‘Semiconductor Business ha detto che questo sarà un passo importante nell’evoluzione della IoT (Internet delle cose), come il 10-nm processo di produzione FinFET apre la strada a molti più chipset ad alta efficienza energetica con dimensioni diminuite. Oltre al processo di produzione a 10 nm, Kim Ki-nam ha anche parlato di 10-nm DRAM e 3D V-NAND tecnology.
Quando esattamente questo nuovo processo di produzione sarà utilizzato per prodotti di consumo resta da vedere, ma sicuramente non accadrà prima del 2016 (realisticamente, forse nel 2017). In un anno da oggi potremmo ritrovarci a parlare del successore di Samsung Galaxy S6, che vanta un 10-nm Exynos SoC FinFET, ma il Samsung Galaxy S6 deve ancora mostrare il suo volto ufficialmente quindi per ora concentriamoci sul presente.Tuttavia, gli sforzi di Samsung in questo settore sono veramente impressionanti e la società è sulla buona strada per diventare un fornitore di hardware ancora più grande, per le grandi aziende come Apple, LG e così via.
