Le memorie flash NAND sembrano aver raggiunto un punto in cui non è più conveniente spendere in sviluppo e ricerca per questo tipo di tecnologia; furono introdotte da Toshiba nel 1989 ed hanno reso possibile la creazione di dischi SSD, chiavette USB, microSD e lo storage interno dei nostri smartphones e tablets.
L’attenzione di Toshiba e degli altri colossi della tecnologia sta virando verso le 3D NAND ma le vecchie memorie flash rimarranno comunque in vendita perché ancora ottime per determinati utilizzi.
Inaspettatamente, la decisione di abbandonare lo sviluppo delle memorie flash NAND è relativamente recente ed è condivisa anche da partner fondamentali per Toshiba, ad esempio SanDisk che ha confermato questa tendenza in una intervista rilasciata a Computerworld. Samsung ha lanciato la sua già lo scorso anno, una 3D V-NAND avente struttura a 32 celle basate sulla tecnologia denominata Charge Trap Flash (CTF); nel 2013 fu la prima azienda costruttrice di semiconduttori ad iniziare la produzione di memorie 3D NAND.
Oggi SanDisk offre una microSD dalle dimensioni veramente ridotte che permette uno storage di 200 GB; con i nuovi chip da 256 Gbit potrebbero raddoppiare la capacità, fino ad arrivare a 400 GB entro il prossimo anno; le memorie 3D NAND consentiranno una continua evoluzione in questo campo per moltissimo tempo. Con questa tecnologia, si prevede il raggiungimento di 1 Tbit per chip, il che significa poter produrre microSD con capacità da 800 GB fino ad arrivare a 1 TB.
Tutte queste prospettive hanno fatto si che Toshiba e SanDisk abbiano preso la decisione di eliminare le fabbriche produttrici di memorie flash NAND per puntare dritto su quelle che lavoreranno per prodotti basati su questa nuova tecnologia; gli impianti saranno ultimati entro il prossimo anno, in tempo praticamente perfetto per la messa in produzione.
