Toshiba ha annunciato delle memorie NAND di tipo UFS 2.1 – dunque per smartphone di fascia alta – straordinariamente veloce. L’azienda non ha specificato quando saranno disponibili i primi device con questo tipo di tecnologia, ma appare assai probabile un loro debutto nel 2018.
Queste memorie sono basate su moduli 64-layer 3D BICS Flash e su controller UFS 2.1 realizzati da Toshiba stessa; avranno una capacità di 32, 64, 128 e 256 GB e garantiranno ben 900 MB/s in lettura e 180 MB/s in scrittura. Logicamente, come per le SSD, la variante da 32GB sarà leggermente più lenta – sebbene non sia chiaro di quanto.
Toshiba ha inserito un controller per correzione d’errore, la conversione logical-to-physical o la gestione dei bad-block. In vista della commercializzazione dello standard UFS 3.0, ci auguriamo che questo tipo di memorie ultra veloci possano essere implementata anche sugli smartphone di fascia media, oramai da troppo tempo rimasti legati allo standard eMMC.
