Processo che la taiwanese metterà a disposizione del mondo mobile delle soluzioni companion product made in AMD, Nvidia e di un’altra dozzina di clienti pronti ad accogliere con favore la nuova evoluzione tecnica dei sistemi.
Ad inizio aprile 2018 avevamo visto come Samsung si fosse portata avanti nella realizzazione delle nuove soluzioni Exynos-Core a 7 nanometri, il cui progetto è stato volutamente anticipato rispetto alla roadmap iniziale allo scopo di contrastare TSMC e la sua promessa di sistemi pronti ad abbracciare una miniaturizzazione sui 5nm.
Stando a quanto riportato dalle fonti i sistemi TSMC si sono portati un passo in avanti rispetto ai precedenti 16 nanometri FinFET (CLN16FF+) che al momento occupano il focus della situazione microchip. Si parla di una riduzione della dimensione del die del 70% a parità di numero di transistor e di un calo dei consumi del 60%
che porta anche ad un’incremento della frequenza operativa del 30%.I processi di costruzioni di queste soluzioni troveranno ampio spazio in una moltitudine di campi legati al mondo Hi-Tech a differenza di quanto fatto per i 10nm. In tal caso si parla dei contesti GPU, GPU, FPGA, ASIC, SoC mobile e molto altro. Il processo litografico di costruzione utilizza laser a eccimeri di fluoruro di argon con una lunghezza d’onda di 193 nm che sfruttano l’attuale strumentazione senza prevedere upgrade di sorta.
Nel corso del 2019 TSMC effettuerà un importante cambiamento a favore della litografia EUV (extreme ultraviolet) per alcuni layer che porteranno alla nascita del modello CLN7FF+, da vedersi come seconda evoluzione dei 7 nanometri di quest’anno.
Lo vedremo nella metà del 2019 con una base che garantirà il 20% di stratificazione di transistor in più a parità di dimensioni ed una riduzione dei consumi di un ulteriore 10% con medesima complessità e frequenza base. I presupposti sono davvero interessanti. Non credete?