Samsung equipaggerà i prossimi flagship Galaxy S10 e Galaxy S10 Plus con RAM di tipo LPDDR5 e memoria UFS 3.0, secondo quanto riferito da una fonte cinese. Il colosso tecnologico sudcoreano si sta preparando a produrre in serie entrambi i chip di memoria per la seconda metà dell’anno.
Samsung sta lavorando da oltre un anno alle nuove ed ha intensificato i suoi sforzi nel settore già a partire dallo scorso dicembre. I dettagli sul nuovo tipo di RAM rimangono poco chiari ma dovrebbero riguardare chiaramente un aumento delle prestazioni computazionali di almeno il dieci percento ed un miglioramento dell’efficienza energetica pari a non meno del 15 percento.
Il passaggio da LPDDR3 a LPDDR4 ha quasi raddoppiato la velocità della RAM e se mentre la prossima generazione non dovrebbe ripetere tale risultato, dovrebbe comunque supportare le frequenze operative nell’arco di 3.600 Mbps. La tecnologia precedente di Samsung ha raggiunto il risultato massimo di circa 3.200 Mbps.
Samsung ha già commercializzato lo standard UFS 3.0 a febbraio avviando la produzione dei chip di memoria da 256 GB per i veicoli moderni ma non ha ancora adottato la nuova tecnologia in nessuna altra categoria. Ciononostante, l’azienda è stata tra i primi ad implementare tali specifiche nelle sue offerte.
Samsung sta lavorando già da tempo ai nuovi top di gamma da annunciare nel 2019
Si prevede che il Galaxy S10 ed il Galaxy S10 Plus debutteranno con un sensore di impronte digitali in-display, così come una fotocamera 3D simile a quella implementata da Apple sull’iPhone X, sebbene Samsung abbia trovato il modo di commercializzare tale soluzione evitando al contempo l’implementazione della tacca.
I due top di gamma di Android saranno probabilmente annunciate all’inizio del 2019, nel corso del MWC che avrà luogo a Barcellona, in Spagna. Samsung potrebbe anche dotare i suoi prodotti mobile di prossima generazione con modem 5G, secondo quanto riferito dai rapporti precedenti.