Xiaomi ha catalizzato l’attenzione del mondo tecnologico con il lancio di Pocophone F1. Si tratta di uno smartphone con caratteristiche da top di gamma ma un prezzo assolutamente interessante che si aggira sui 330 euro. A poche ore dalla presentazione è già apparso in rete il primo teardown del dispositivo che permette di apprezzare la qualità costruttiva e la pulizia del design delle componenti interne.
Il System on a Chip che spinge il terminale è il Qualcomm Snapdragon 845 a cui si abbina un sistema di raffreddamento a liquido denominato “LiquidCool“. Il lungo dissipatore in rame, che arriva fin sotto la batteria partendo quasi dall’altezza della fotocamera, sfrutta il liquido per raffreddare le componenti interne.
Pocophone F1 non ha nulla da invidiare ai top di gamma
Il calore prodotto dal SoC viene dissipato anche sfruttando il retro in metallo dello smartphone. Anche se il tutto può sembrare una soluzione non eccezionale, i banchmark sembrano premiare la scelta di Xiaomi.
Il teardown ha permesso di constatare che Pocophone F1 non utilizza la colla per mantenere in posizione i vari componenti. Questo è sicuramente un punto a favore nella realizzazione tecnica del dispositivo oltre che un vantaggio dal punto di vista della riparazione. Abbiamo potuto vedere su device come Microsoft Surface Go, che usando la colla le riparazioni diventano più complicate perché si rischia di causare dei danni accidentali cercando di staccare componenti incollati insieme.
In attesa di una analisi più approfondita, ricordiamo che Pocophone F1 è dotato di un display IPS da 6.18 pollici e una memoria RAM da 6/8 GB. È presente lo sblocco con il viso che sfrutta uno scanner facciale basato sugli infrarossi. Il sistema si basa su Android Oreo 8.1 con l’interfaccia proprietaria MIUI 9.6. La doppia fotocamera posteriore è caratterizzata da ottiche 12+5MP (apertura focale: f/1.9-f/2.0) con flash LED mentre quella anteriore è da 20MP con apertura focale da f/2.0.
POCO F1 Teardown pic.twitter.com/Idqr2SyGnw
— bang gogo (@bang_gogo_) August 28, 2018