Samsung Galaxy S10 in tutte le sue 3 varianti sarà mostrato sul palcoscenico del prossimo Mobile World Congress 2018 di Barcellona. In attesa di vederlo in una nuova vesta tecnica ed estetica spopolano i rumor ed i risultati dei primi test hardware di confronto. AnTuTu inizia a riportare alcuni risultati inattesi per i futuri top di gamma. Stando a quanto appreso i modelli UE non saranno potenti come gli Snapdragon di manifattura Qualcomm.
Samsung Galaxy S10 Plus: brutta notizia per noi europei
Abbiamo valutato il design discutibile dei prossimi Galaxy S10 dalle foto e dai primi video render del dispositivo. Al di là del puro aspetto esteriore si dovranno fare i conti con le componenti di potenza hardware. I test AnTuTu per le unità a microprocessore hanno evidenziato un cambio di rotta importante rispetto a tutte le revisioni attuali e passate dei telefoni.
Fino ad oggi abbiamo assistito ad una netta predominanza dei chip Exynos UE contro gli Snapdragon di Qualcomm per il mercato USA. Le cose a quanto pare sono cambiate e Snapdragon 855 batte Exynos 9820. Mentre il microprocessore US totalizza 343.051 punti quello UE si ferma a quota 325.068 per un gap tutt’altro che trascurabile.
Cosa comporterà tutto questo? All’atto pratico proprio nulla. Si tratta di dati puramente teorici, tanto è vero che Samsung provvederà ad adeguare le ottimizzazioni in modo tale da rendere davvero minima la differenza in termini di performance. I dispositivi europei non verranno penalizzati in alcun modo.
Unitamente ai test per le CPU mobile di nuova generazione si sono presi in esame i report per gli attuali Snapdragon 845 ed i Kirin 980 presentati in luglio da Huawei. Tornando allo SD 855 si evidenzia come questo sia in assoluto il primo microprocessore con supporto integrato alla rete 5G, quest’ultima non presa in considerazione durante la fase di test su modem X24 Qualcomm (si potrà integrare in futuro con la versione opzionale X50).