Samsung ha annunciato che ha iniziiato a produrre i primi chip di memoria al mondo da 1 TB eUFS (embedded Universal Flash Storage) per i produttori di telefoni, e afferma che tra poco usciranno sul mercato internazionale. Ciò significa che i telefoni saranno in grado di avere un terabyte di storage con un singolo chip di memoria flash.
Cheut Choi, vicepresidente marketing di Samsung, afferma che l‘eUFS da 1 TB è “destinato a svolgere un ruolo cruciale nel portare un’esperienza innovativa, molto simile a quella di un notebook, e cercheremo di portarla già dalla prossima generazione di dispositivi mobili“. È lo stesso formato (quindi le stesse dimensioni) del precedente modello, che possedeva 512GB di memoria, con una velocità di lettura fino a 1.000 megabyte al secondo. Ciò vale a dire 10 volte la velocità di una tipica scheda microSD
, secondo quanto riferito da Samsung.
L’anno scorso la società ha promosso Galaxy Note 9 come “1 terabyte ready“, ma solo se si inserisce una scheda microSD da 512 GB, la più alta capacità attualmente disponibile, nel modello da 512 GB. Attualmente non esistono ancora modelli avanzati come questo, e non si sa nemmeno se tutti i telefoni saranno in grado di poterne sfruttare le capacità al massimo. Samsung, infatti, utilizzerà questa nuova tecnologia per affiancarla ad un nuovo smartphone che, secondo alciuni rumor, potrebbe uscire con 1 TB di memoria interna. Non è nemmeno tanto improbabile, considerando anche le voci che parlano del Galaxy S10 che includerà un modello di fascia alta con 12 GB di RAM e 1 TB di storage.