L’evoluzione del mondo degli smartphone ha appena ricevuto un’accelerazione improvvisa e quasi inaspettata, almeno dal punto di vista del pubblico. IBM ha infatti saltato qualche step andando ad annunciare la creazione del primo transistor al mondo per la creazione di processori con processo a 2 nm. Sfrutta l’architettura nanosheet Gate-All-Around e le possibilità che si sono aperti sono moltissime.
Per esempio, i processori più potenti al momento in circolazione per il mondo mobile sono lo Snapdragon 888 e un altro l’A14 Bionic. Entrambi sono costruiti su un processo a 5 nm. La differenza con la nuova tecnologia è tantissima e molti degli aspetti tipici di un processore sono stati migliorati di molto, almeno secondo IBM.
Le parole di IBM sulla propria creazione: “In prospettiva, i processori a 2 nm utilizzati nei telefoni cellulari potrebbero quadruplicare la durata della batteria dei telefoni cellulari che utilizzano la tecnologia di processo a 7 nm, come iPhone 11, Samsung Galaxy S10 e Google Pixel 5. In base all’uso medio, ciò significa il telefono dovrebbe essere ricaricato solo una volta ogni quattro giorni.”
Questa tecnologia di IBM apre moltissimi nuovi scenari. Per cominciare, cambia il peso specifico degli Stati Uniti sul mondo dei semiconduttori, soprattutto nel momento attuale dove la carenza di chip ha aperto il vaso di Pandora per quanto riguarda i rapporti di dipendenza di certi paesi su altri per questo genere di prodotti. Un esempio è la Cina con Taiwan.
Un altro pezzo della dichiarazione di IBM: “la nostra dimostrazione di un transistor in nanosheet per il nodo del chip da 2 nm è anche una convalida di diversi traguardi minori che ci hanno dimostrato che ciò potrebbe essere fatto, e del duro lavoro e della dedizione del team interdisciplinare di esperti in materiali di IBM, litografia, integrazione, dispositivi, caratterizzazione e modellazione lavorando al progetto.”