Samsung ha recentemente dichiarato di aver iniziato la produzione di una nuova tipologia di transistor che sarà caratterizzata da un processo produttivo a 3 nm e una nuova architettura di transistor Gate-All-Around (GAA).
Si tratta di un avvenimento importante per quanto riguarda l’informatica e la tecnologia dal momento che ci troviamo davanti al primo miglioramento architetturale dei transistor dai tempi del Tri-Gate / FinFET di Intel, introdotto nel 2011 con le CPU Ivy Bridge a 22 nanometri.
Samsung sostanzialmente grazie alla sua nuova architettura punta a superare le limitazioni prestazioni della vecchia tipologia di transistor FinFET grazie alla tecnologia GAA che prende il nome di Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), da una parte si punta a migliorare l’efficienza energetica grazie alla riduzione della tensione di alimentazione, dall’altra le prestazioni grazie all’aumento della corrente di pilotaggio.
La sigla MBCFET sta ad indicare la presenza di un transistor la cui architettura basa su nanofogli con canali più ampi, i quali consentono prestazioni superiori ed una migliore efficienza energetica rispetto alle architetture precedenti, che usano nanofili con canali più ristretti.
Adoperando la nuova struttura a 3 nm GAA Samsung può intervenire direttamente sul canale del nanofoglio per variarne l’ampiezza e dunque ottimizzare l’uso energetico e le prestazioni per rispondere alle necessità dei vari clienti.
Rispetto all’architettura precedente a 5 nanometri l’attuale e nuova tecnologia a 3nm può ridurre il consumo energetico fino al 45%, migliorare le prestazioni del 23% e ridurre l’area occupata del 16%, ma non è finita qui, infatti si punta addirittura a ridurre il consumo fino al 50%, prestazioni superiori del 30% e riduzione dell’area del 35%.