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Arseniuro di Boro cubico: dal MIT il futuro sostituto del Silicio

Il mondo dell’informatica attualmente esiste grazie ad un materiale ritenuto delle meraviglie, stiamo parlando ovviamente del Silicio, elemento semiconduttore per eccellenza che ha permesso di rivoluzionare tutto il mondo dell’elettronica grazie alla possibilità di far variare la sua conducibilità elettrica, caratteristica che ha permesso la creazione dei transistor e quindi di tutta l’elettronica moderna.

Il Silicio però come preannunciato da ormai molto tempo, a causa di alcuni limiti fisici come la sua conducibilità termica, dovrà andare in pensione in favore di un successore che superi questi problemi, a tal proposito proprio un gruppo di ricercatori del Massachusets Institute Of Technology (MIT), dell’Università di Houston, così come affermato in una ricerca pubblicata su Science, sembrerebbe aver individuato questo successore nell’Arseniuro di Boro cubico.

 

Arseniuro di Boro per una migliore conducibilità termica

Il Silicio ha da sempre costituito un ottimo compromesso, quest’ultimo infatti offre le sue classiche caratteristiche accostate però ad una bassa conducibilità termica che, espone le componenti a facili surriscaldamenti, che tra l’altro effettivamente siamo abituati a vedere e che dobbiamo prevenire tramite vistosi sistemi di raffreddamento.

L’Arseniuro di Boro cubico invece, offre un’ottima gestione degli elettroni ma anche un’ottima conducibilità termica, basti pensare che mentre il silicio ha una conducibilità termica tipica di 148W/mK e il rame arriva sino a 401W/mK, l’arseniuro di boro cubico può dissipare il calore intorno ai 1.200W/mK.

Non rimane dunque che attendere, la ricerca dell’erede del Silicio continua e certamente dovrà eleggere un vincitore, il MIT ha indubbiamente trovato il primo candidato papabile.

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Pubblicato da
Eduardo Bleve