Un recente studio condotto da un team di scienziati della Stanford University ha mostrato al mondo un nuovo materiale che potrebbe rivoluzionare il mondo dell’informatica, il tutto è stato pubblicato su Nature Materials e parla di come un sottile strato di una lega metallica chiamata “manganese palladio tre” (MnPd3) presenta le proprietà necessarie per dare vita a una memoria capace di immagazzinare i dati nelle direzioni di spin degli elettroni.
Questa modalità di archiviazione in memoria è noto anche come “spin orbit torque magnetoresistive random access memory” o più in breve SOT-MRAM, è un metodo che consente di archiviare dati in modo più efficace ed efficiente rispetto a quelli attuali che sfruttano la carica elettrica, dunque necessitano di un’alimentazione costante e continua per non perdere i dati.
Come funziona
Per funzionare questa nuova tecnologia sfrutta una delle proprietà di base degli elettroni, lo spin, il quale per chi non lo sapesse, sarebbe il senso di rotazione sul proprio asse di quest’ultimo, spin che può assumere due valori discreti e finiti ovvero un mezzo e meno un mezzo, dettaglio che trasforma gli elettroni in dei magneti sub-atomici.
Ora immaginate che le linee di campo magnetico vanno da un polo all’altro dell’elettrone (poli che sono identificati dagli estremi del suo asse di rotazione) a seconda del suo spin, spin che può cambiare facendo di conseguenza cambiare anche la direzione delle linee di forza del campo magnetico, proprio dunque l’orientamento di questo campo può indicare l’1 o lo 0 di un codice binario immagazzinando dunque dati, gli scienziati nelle SOT-MRAM, sono in grado di applicare una corrente in grado di cambiare lo spin degli elettroni e dunque anche il loro spin e momento del dipolo magnetico, immagazzinando dati come fossero appunto 0 e 1 a seconda dello spin.
Rimani aggiornato seguendoci su Google News!