Huawei va oltre le sanzioni USA e propone un chip a 3nm

Huawei lavora per incrementare la sua esperienza con i semiconduttori. La scelta è stata presa indipendentemente dalle sanzioni imposte dagli Stati Uniti e le restrizioni all’esportazione da parte dei Paesi Bassi. A dimostrarlo è un recente brevetto dell’azienda. Huawei, in collaborazione con SMIC (Semiconductor Manufacturing International Co.),  ha depositato la documentazione per un nuovo metodo di litografia a quadrupla autoallineamento (SAQP). Quest’ultimo è finalizzato alla produzione di microchip avanzati. In un primo momento si pensava che suddetta tecnologia fosse destinata alla realizzazione di chip a 5nm. I piani dell’azienda, invece, sembrano essere ancora più ambiziosi.

Huawei incentiva la produzione di semiconduttori di ultima generazione

L’obiettivo potrebbe essere quello di utilizzare la litografia a quadrupla stampa nella produzione di chip a 3nm. A confermarlo c’è il brevetto depositato da SiCarrier, un’azienda cinese sostenuta dallo stato. È specializzata nella produzione di equipaggiamenti per la fabbricazione di chip, che collabora strettamente con Huawei.

Secondo gli esperti del settore, tra cui Dan Hutcheson di TechInsights, la quadrupla stampa potrebbe effettivamente permettere alla Cina di produrre chip a 5nm. Per competere nel lungo termine con nodi di processo ancora più avanzati, saranno essenziali le macchine EUV

(Extreme Ultraviolet Lithography). L’utilizzo della quadrupla stampa per chip a 3nm è considerato sorprendente dagli esperti del settore.

Per comprendere la complessità della sfida tecnologica, si consideri che la distanza tra i metalli (metal pitch) nei chip a 7nm è di circa 36-38nm, mentre scende a 30-32nm per i chip a 5nm. A 3nm, questa distanza dovrebbe ridursi ulteriormente a 21-24nm. Normalmente, per ottenere dimensioni critiche di circa 12nm nella produzione di massa, si utilizzano macchinari EUV a bassa apertura numerica (Low-NA EUV).

Huawei e SMIC sembrano intenzionate a raggiungere tale risultato tramite la quadrupla stampa e strumenti DUV (Deep Ultraviolet). La causa sono le restrizioni all’accesso ai macchinari litografici avanzati come i Twinscan NXT:2100i e NXE:3400C/3600D/3800E di ASML, imposte dai Paesi Bassi sotto pressione degli Stati Uniti.

La quadrupla stampa comporta diverse fasi di incisione su wafer di silicio. Lo scopo è quello di aumentare la densità dei transistor, ridurre il consumo energetico e migliorare le prestazioni. Per SMIC, la quadrupla stampa rappresenta un passaggio cruciale per avanzare nella tecnologia dei semiconduttori e produrre chip più sofisticati.