Memoria computer: interessanti novità in arrivo

Sta per arrivare un’importante cambiamento nel settore dei semiconduttori. Lo scopo di tale scoperta è di introdurre sul mercato dispositivi altamente efficienti dal punto di vista energetico. A presentare suddetta innovazione è stato il team di ricercatori della Penn Engineering. Tutto ha avuto inizio con un particolare materiale: il seleniuro di indio. La sua capacità unica di cambiare stato sotto l’effetto di una semplice corrente continua sta già attirando l’attenzione della comunità scientifica e industriale.

Il professor Ritesh Agarwal e il suo team stavano conducendo esperimenti di routine quando hanno osservato un comportamento insolito del materiale. Normalmente, per innescare un cambiamento di stato nei materiali utilizzati per la memoria a cambiamento di fase (PCM), è necessaria una quantità significativa di energia. Presentata sotto forma di impulsi elettrici.

Cosa cambia con la nuova memoria

Eppure, nelle fasi successive, il seleniuro di indio si è dimostrato capace di attivare tale trasformazione con una corrente continua a basso consumo. Il processo è reso possibile dalle proprietà ferroelettriche

e piezoelettriche intrinseche del materiale. Quest’ultime generano campi elettrici interni e deformazioni meccaniche in risposta agli stimoli elettrici.

Le implicazioni della scoperta sono enormi. Al momento, le tecnologie di memoria si dividono in due categorie principali. La RAM, veloce ma volatile, e dispositivi di archiviazione come SSD, lenti ma permanenti. La memoria a cambiamento di fase ha il potenziale di combinare le migliori caratteristiche di entrambe. Creando così una memoria universale. Inoltre, lo studio apre nuove prospettive per la ricerca su materiali con proprietà simili. In tal modo vengono offerte possibilità inedite per dispositivi fotonici ed elettronici più sostenibili.

Secondo gli scienziati quanto espresso rappresenta solo l’inizio di un nuovo capitolo nell’ingegneria dei materiali. Il seleniuro di indio rappresenta un passo avanti che potrebbe ispirare una generazione intera di innovazioni. Contribuendo, in tal modo, a plasmare un futuro tecnologico più sostenibile ed efficiente grazie ad una nuova tipologia di memoria.