Nonostante il complesso contesto geopolitico che la Russia sta vivendo in questo periodo, sembra che la branca di ricerca nel campo della tecnologia non abbia subito un arresto e anzi stia lavorando allo sviluppo di nuove macchine per la litografia EUV in grado di competere con quelle prodotte dall’olandese ASML.
La principale novità di queste macchine prodotte dalla Russia risiederebbe nell’utilizzo dei Laser a raggi X con una lunghezza d’onda di 11,2 nm anziché di 13,5 nm, tale scelta consentirebbe un miglioramento del 20% nella risoluzione permettendo dunque di realizzare circuiti integrati più complessi.
Ovviamente queste sono le speculazioni iniziali che devono tirare i conti con la complessità ingegneristica del progetto, dal momento che è necessario sviluppare un intero sistema litografico compatibile con la nuova tecnologia.
In definitiva, il sistema russo utilizzerà una sorgente laser basata sullo xeno al contrario dei sistemi attuali che invece impiegano lo stagno, tale scelta consentirà di semplificare il design e ridurre i costi dei componenti ottici
, come se non bastasse né gioverà anche la qualità del prodotto che subirà meno contaminazione aumentando la durata delle parti critiche come collettori e pellicole protettive.Le macchine dunque avranno una potenza inferiore rispetto a quelle attuali con una produttività di circa 2,7 volte inferiore a causa dell’utilizzo di una sorgente luminosa da 3,6 kW, tuttavia tale performance è considerata sufficiente per produzioni su piccola scala.
Il progetto russo prevederà tre fasi di sviluppo, la prima riguarderà la ricerca di base con l’identificazione delle tecnologie chiave e i test delle componenti iniziali, la seconda invece riguarderà la creazione di un prototipo in grado di processare 60 wafer da 200 mm all’ora e in ultimo l’integrazione di questa tecnologia nelle linee di produzione nazionali, alla fine la terza fase riguarderà un sistema pronto e finito per l’uso in grado di processare 60 wafer da 300 mm all’ora come ratio di produzione costante.